Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=700 V, Id=8.5 A, 3针, TO-252, 700V CoolMOS P7系列
- RS 库存编号:
- 215-2509P
- 制造商零件编号:
- IPD70R600P7SAUMA1
- 制造商:
- Infineon
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- IPD70R600P7SAUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 700V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | 700V CoolMOS P7 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 600mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最大功耗 Pd | 10.5W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 8.5A | ||
最大漏源电压 Vd 700V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 700V CoolMOS P7 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 600mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10.5nC | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最大功耗 Pd 10.5W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 700V CoolMOS P7 系列 MOSFET，700V 漏源电压，8.5A 连续漏极电流 - IPD70R600P7SAUMA1
这款 MOSFET 是一款高压 N ‑通道开关晶体管，专为表面‑贴装功率应用而设计。它以增强模式运行，适用于需要高漏源电压能力的电路，同时为紧凑型 SMD 布局提供中等的导通性能和热处理能力。
特性和优点：
• 700V 漏源额定值可支持高‑压开关应用
• 8.5A 连续漏极电流支持持续负载导通
• 600mΩ Rds(on) 可限制中等‑功率设计中的导通损耗
• 10.5W 最大功耗可提供可靠的热裕量
• 10.5nC 典型栅极电荷可实现更快的栅极转换
• ±20V 栅极容差允许标准栅极驱动电压
• 8.5A 连续漏极电流支持持续负载导通
• 600mΩ Rds(on) 可限制中等‑功率设计中的导通损耗
• 10.5W 最大功耗可提供可靠的热裕量
• 10.5nC 典型栅极电荷可实现更快的栅极转换
• ±20V 栅极容差允许标准栅极驱动电压
应用
• 适用于高压‑开关‑模式电源
• 非常适合原‑边功率转换级
• 用于谐振和硬‑开关拓扑
• 可用于工业照明镇流器
• 应用于紧凑型 SMD 功率模块
• 非常适合原‑边功率转换级
• 用于谐振和硬‑开关拓扑
• 可用于工业照明镇流器
• 应用于紧凑型 SMD 功率模块
它在运行时能承受的温度范围是多少？
它的规定工作温度范围为 -55°C 至 150°C，覆盖了广泛的热环境。
它为 PCB 布局提供多少个电气连接？
该设备在 TO‑252 表面‑贴装封装中包含三个引脚，需要常规的 SMD 焊盘图形设计。
哪种导通特性决定了导通‑状态下的电压降？
600mΩ 的导‑通电阻决定了给定漏极电流下的压降，并会影响导通损耗。
栅极驱动对开关性能有何影响？
在 Vgs 条件下，10.5nC 的典型栅极电荷会影响给定栅极‑驱动器能力所需的驱动电流和开关速度。