Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 14 A, ThinPAK, 表面安装, 5引脚, 600V CoolMOS CFD7系列
- RS 库存编号:
- 215-2522P
- 制造商零件编号:
- IPL60R185CFD7AUMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 215-2522P
- 制造商零件编号:
- IPL60R185CFD7AUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 14A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | ThinPAK | |
| 系列 | 600V CoolMOS CFD7 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 185mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 85W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 28nC | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 8.1mm | |
| 宽度 | 1.1 mm | |
| 高度 | 8.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 14A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 ThinPAK | ||
系列 600V CoolMOS CFD7 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 185mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 85W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 28nC | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 8.1mm | ||
宽度 1.1 mm | ||
高度 8.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon 600V cool mos ™ CFD7 是最新的高压超级结 mosfet 技术，集成了快速主体二极管，从而完善了 cool mos ™ 7 系列。cool mos ™ CFD7 的栅极电荷 (qg) 降低，关闭行为得到改善，反向恢复电荷 (qrr) 比竞争产品低 69% ，而且反向恢复时间也在市场上最低 (trr) 。
超快主体二极管
同类杰出的反向恢复充电（ qrr ）
改进了反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 坚固性
最低 fom rds （接通） x qg 和 eoss
同类杰出的 rds （接通） / 封装