Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 13 A, ThinPAK, 表面安装, 5引脚, 600V CoolMOS CFD7系列

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RS 库存编号:
215-2524P
制造商零件编号:
IPL60R285P7AUMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

13A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

600V CoolMOS CFD7

包装类型

ThinPAK

安装类型

表面

引脚数目

5

最大漏源电阻 Rd

285mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

59W

正向电压 Vf

0.9V

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

18nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

长度

8.1mm

宽度

1.1 mm

高度

8.1mm

汽车标准

the Infineon 600V cool mos ™ P7 是 600V cool mos ™ P6 系列的它继续在设计过程中兼顾对高效率的需求与易用性。cool mos ™ 7th 系列平台杰出的 r onxa 和固有的低栅极电荷 (qg ) 确保了其高效率。它结合了快速切换 sj mosfet 的优点和出色的易用性、例如振铃趋势非常低、主体二极管具有卓越的坚固性、可抗硬换和出色的 esd 能力。此外、极低的切换和传导损耗使切换应用更高效、更紧凑、更凉爽。

适用于硬切换和软切换( pfc 和 llc ) 由于卓越的换向坚固性

出色的 esd 稳定性 >2kV ( hbm )、适用于所有产品

显著减少切换和传导损耗

广泛的产品组合、采用通孔和表面安装封装