Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=800 V, 4 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, IPN95R2K0P7ATMA1, CoolMOS系列
- RS 库存编号:
- 215-2534
- 制造商零件编号:
- IPN95R2K0P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 215-2534
- 制造商零件编号:
- IPN95R2K0P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 系列 | CoolMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 10nC | |
| 最大功耗 Pd | 7W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 4A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
包装类型 SOT-223 | ||
系列 CoolMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 2Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10nC | ||
最大功耗 Pd 7W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon 950V cool mos ™ P7 系列旨在满足高电压功率的高电压功率的功率不断增长的消费者需求，最新的 950V cool mos ™ P7 技术主要面向低功率的开关电源市场。与前代产品 900V cool mos ™ C3 相比， 950V cool mos ™ P7 系列的阻塞电压增加了 50V ，在效率、热行为和易用性方面均可提供卓越的性能。作为所有其他 P7 系列的成员， 950V cool mos ™ P7 系列随附集成齐纳二极管 esd 保护。集成二极管显著提高了 esd 稳定性、从而减少了 esd 相关的屈服损耗并达到了卓越的易用性水平。cool mos ™ P7 采用杰出的 3V vgs （ the ）和 ± 0.5v 的窄容差，使其易于驱动和设计。
杰出的 fomrds(on) * 以斯; 减少了 qg 、 ciss 和 coss
同类杰出的高级型高通（ on ）
杰出的 cool mos ™品质和
完全优化的产品组合