Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 31 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IPP60R099P7XKSA1, CoolMOS P7系列
- RS 库存编号:
- 215-2539
- 制造商零件编号:
- IPP60R099P7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥142.40
(不含税)
¥160.90
(含税)
有库存
- 另外 435 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | RMB28.48 | RMB142.40 |
| 15 - 20 | RMB27.624 | RMB138.12 |
| 25 + | RMB26.796 | RMB133.98 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 215-2539
- 制造商零件编号:
- IPP60R099P7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 31A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | CoolMOS P7 | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 99mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 117W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 45nC | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 4.57mm | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 31A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 CoolMOS P7 | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 99mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 117W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 45nC | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 4.57mm | ||
长度 10.36mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 CoolMOS™ P7 系列 MOSFET，31A 连续漏极电流，600V 漏极源电压 - IPP60R099P7XKSA1
这款 MOSFET 是专为高压应用设计的高性能功率元件。它的最大连续漏极电流为 31A，最大漏极-源极电压为 600V，采用 TO-220 封装，适合通孔安装。其卓越的规格使其成为各行业先进电子设计的理想之选。
特点和优势
• 适合硬开关和软开关使用
• 显著降低开关和传导损耗
• 坚固耐用的体二极管，可实现硬换向
• 超过 2kV 的高 ESD 保护，性能可靠
• 增强模式配置简化了电路设计
应用
• 是 PFC（功率因数校正）级的理想选择
• 在硬开关 PWM（脉宽调制）中使用
• 适用于各种电子产品的谐振开关级
• 适用于适配器和 LCD/PDP 电视机
• 用于照明解决方案、服务器设备和电信系统
该设备的 RDS(on) 值偏低有何意义？
RDS(on) 值低至 0.099 欧姆，最大程度地减少了传导损耗，在发热问题严重的应用中提高了功率转换效率。
工作温度范围对其性能有何影响？
它能在 -55°C 至 +150°C 温度范围内有效工作，即使在极端条件下也能确保可靠性和稳定性，因此适用于各种环境。
它可以并联使用吗？
是的，对于并联配置，一般建议在栅极上使用铁氧体磁珠或独立的图腾柱，以防止振荡并确保稳定运行。