Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=31 A, 3针, TO-220, CoolMOS P7系列
- RS 库存编号:
- 215-2539
- 制造商零件编号:
- IPP60R099P7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 215-2539
- 制造商零件编号:
- IPP60R099P7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 31A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | CoolMOS P7 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 99mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 117W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 45nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 900mV | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 4.57mm | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 宽度 | 15.95mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 31A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 CoolMOS P7 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 99mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 117W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 45nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 900mV | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 4.57mm | ||
长度 10.36mm | ||
宽度 15.95mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon CoolMOS P7 系列 MOSFET，600V 最大漏源电压，31A 最大连续漏极电流 - IPP60R099P7XKSA1
这款 MOSFET 是一款高压 N 通道晶体管，专为通孔组件中的功率开关应用而设计。它可在宽温度范围内工作，适用于安装在 TO-220 封装中时需要高电压处理和连续电流能力的应用。
特性和优点：
• 600V 漏源额定值可支持高压开关操作
• 31A 连续漏极电流，可实现持久供电
• 99mΩ 低 RDS(on) 可降低导通损耗
• 117W 功耗可实现重载热处理
• 45nC 典型栅极电荷 Qg 可实现合理的开关速度
• 20V 栅源限制支持常见的驱动电压
• 31A 连续漏极电流，可实现持久供电
• 99mΩ 低 RDS(on) 可降低导通损耗
• 117W 功耗可实现重载热处理
• 45nC 典型栅极电荷 Qg 可实现合理的开关速度
• 20V 栅源限制支持常见的驱动电压
应用
• 适用于电源侧功率转换级
• 非常适合需要 600V 能力的开关模式电源
• 用于工业单元中带散热片的通孔安装
• 可用于高压电机驱动前端
• 适用于电信整流器中的功率晶体管应用
• 非常适合需要 600V 能力的开关模式电源
• 用于工业单元中带散热片的通孔安装
• 可用于高压电机驱动前端
• 适用于电信整流器中的功率晶体管应用
它在运行过程中可承受哪些极端温度？
它的额定工作温度范围为 -55°C 至 150°C，允许在温度变化范围大的环境中使用。
该封装提供多少个电气连接？
该设备配备三个引脚，配置用于通孔布局中的典型 MOSFET 栅极、漏极和源极连接。
电路组装需要哪种安装方法？
该组件采用 TO-220 规格，适用于通孔安装以及根据需要连接外部散热片。
需要注意哪些栅极驱动因素？
最大允许栅源电压为 20V，因此栅极驱动器应将幅度限制在该阈值内，以防止设备受应力。
相关链接
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