Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 80 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, OptiMOS-T2系列
- RS 库存编号:
- 215-2548P
- 制造商零件编号:
- IPP80N06S407AKSA2
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IPP80N06S407AKSA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 80A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | OptiMOS-T2 | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7.1mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 56nC | |
| 最大功耗 Pd | 79W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 80A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 OptiMOS-T2 | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 7.1mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 56nC | ||
最大功耗 Pd 79W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon ® T2 功率晶体管系列的最大漏极源电压为 60V ，封装类型为 220-220 。它是 n mΩ 、最大漏极源电阻为 7.1 m ² 。
N 通道 - 增强模式
符合 aec Q101 标准
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色产品（符合 RoHS 标准）
100% 雪崩测试