Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 44 A, HSOF-8, 贴片安装, 8引脚, CoolMOS™ P7系列

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RS 库存编号:
215-2555
制造商零件编号:
IPT60R050G7XTMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

44 A

最大漏源电压

600 V

封装类型

HSOF-8

系列

CoolMOS™ P7

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

0.05 Ω

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4V

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

Si

the Infineon mos ™ C7 超镀金 mosfet 系列( G7 )将 600V cool mos ™ C7 镀金技术的优点结合在一起, 4pin kelvin 源容量和 to 无铅( toll )封装改进的热特性、为高达 3kW 的功率因数校正( pfc )等高电流硬切换拓扑以及高端 llc 等谐振电路提供了可能的 smd 解决方案。

提供杰出的 fom r ds ( on ) xe oss 和 r ds ( on ) xq
在最小的占地面积内实现杰出的 r ds ( on

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