Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 44 A, HSOF-8, 贴片安装, 8引脚, CoolMOS™ P7系列
- RS 库存编号:
- 215-2555
- 制造商零件编号:
- IPT60R050G7XTMA1
- 制造商:
- Infineon
小计(1 卷,共 2000 件)*
¥79,112.00
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¥89,396.00
(含税)
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2000 + | RMB39.556 | RMB79,112.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 215-2555
- 制造商零件编号:
- IPT60R050G7XTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 44 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 封装类型 | HSOF-8 | |
| 系列 | CoolMOS™ P7 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.05 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 44 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
封装类型 HSOF-8 | ||
系列 CoolMOS™ P7 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 0.05 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
the Infineon mos ™ C7 超镀金 mosfet 系列( G7 )将 600V cool mos ™ C7 镀金技术的优点结合在一起, 4pin kelvin 源容量和 to 无铅( toll )封装改进的热特性、为高达 3kW 的功率因数校正( pfc )等高电流硬切换拓扑以及高端 llc 等谐振电路提供了可能的 smd 解决方案。
提供杰出的 fom r ds ( on ) xe oss 和 r ds ( on ) xq
在最小的占地面积内实现杰出的 r ds ( on
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