Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 50 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, CoolMOS CFD7系列
- RS 库存编号:
- 215-2560
- 制造商零件编号:
- IPW60R040CFD7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计(1 管,共 30 件)*
¥1,147.11
(不含税)
¥1,296.24
(含税)
有库存
- 180 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | RMB38.237 | RMB1,147.11 |
| 60 - 90 | RMB37.472 | RMB1,124.16 |
| 120 + | RMB36.348 | RMB1,090.44 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 215-2560
- 制造商零件编号:
- IPW60R040CFD7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 50A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | CoolMOS CFD7 | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 40mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 109nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 227W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 50A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 CoolMOS CFD7 | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 40mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 109nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 227W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon 600V cool mos ™ CFD7 是英飞凌公司最新的高压超级结 mosfet 技术,集成了快速主体二极管,完善了 cool mos ™ 7 系列。cool mos ™ CFD7 的栅极电荷 (qg) 降低,关闭行为得到改善,反向恢复电荷 (qrr) 比竞争产品低 69% ,而且反向恢复时间也在市场上最低 (trr) 。
超快主体二极管
同类杰出的反向恢复充电( qrr )
改进了反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 坚固性
最低 fom rds (接通) x qg 和 eoss
同类杰出的 rds (接通) / 封装
