Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 38 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, CoolMOS™ CFD7系列
- RS 库存编号:
- 215-2562
- 制造商零件编号:
- IPW60R055CFD7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
暂时无法供应
抱歉，我们不知道何时会有货
- RS 库存编号:
- 215-2562
- 制造商零件编号:
- IPW60R055CFD7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 38 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 系列 | CoolMOS™ CFD7 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.055. Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 38 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
封装类型 TO-247 | ||
系列 CoolMOS™ CFD7 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 0.055. Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4.5V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
the Infineon 600V cool mos ™ CFD7 是英飞凌公司最新的高压超级结 mosfet 技术，集成了快速主体二极管，完善了 cool mos ™ 7 系列。cool mos ™ CFD7 的栅极电荷 (qg) 降低，关闭行为得到改善，反向恢复电荷 (qrr) 比竞争产品低 69% ，而且反向恢复时间也在市场上最低 (trr) 。
超快主体二极管
同类杰出的反向恢复充电（ qrr ）
改进了反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 坚固性
最低 fom rds （接通） x qg 和 eoss
同类杰出的 rds （接通） / 封装
同类杰出的反向恢复充电（ qrr ）
改进了反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 坚固性
最低 fom rds （接通） x qg 和 eoss
同类杰出的 rds （接通） / 封装