Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 42 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 215-2572P
- 制造商零件编号:
- IRF1310NSTRLPBF
- 制造商:
- Infineon
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- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 42A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 36mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 160W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 110nC | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 14.173in | |
| 宽度 | 1.079 in | |
| 高度 | 1.197in | |
| 标准/认证 | EIA 418 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Distrelec Product Id | 304-39-412 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 42A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 36mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 160W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 110nC | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 14.173in | ||
宽度 1.079 in | ||
高度 1.197in | ||
标准/认证 EIA 418 | ||
汽车标准 否 | ||
Distrelec Product Id 304-39-412 | ||
国际整流器的英飞凌系列第五代 hex场 效应晶体管利用先进的处理技术 Advanced on resistance for Infineon area 的导通电阻极 International Rectifier 。此优势结合了 ex场 效应晶体管闻名的快速切换速度和耐震设备设计、可提供足够的电平设备、为设计人员提供极其高效和可靠的设备、适用于各种应用。D2pack 是表面安装电源封装、可容纳尺寸高达 hex-4 的模具。它在任何现有表面安装封装中提供最高的功率能力和尽可能最低的接通电阻。D2pack 具有低内部连接电阻、可在典型表面安装应用中耗散高达 2.0 w 、因此适用于高电流应用。
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