Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 55 A, DirectFET ISOMETRIC, 贴片安装, 7引脚, HEXFET系列

the Infineon ex场 功率 mosfet 采用 direct场 效应管（ mz ）封装，具有 80V 的最大漏极源电压，额定电流为 55 安培，经优化具有低接通电阻。IRF6668PbF 将最新的 hex场 ® 功率 mosfet 硅技术与先进 Advanced ® 封装技术相结合，以实现最低的导通电阻，封装尺寸仅为 so-8 和 0.7 mm 。direct场 封装与电源应用、印刷电路板装配设备和汽相、红外或对流焊接技术中使用的现有布局几何结构兼容。对于制造方法和工艺、请遵循应用说明 a-1035 。directet 封装允许双面冷却、以最大程度地提高电源系统中的热传输、将以前最佳的热阻提高 80% 。

无铅（最高 260°c 回流）
特别适用于高性能隔离转换器主开关插座
经优化可用于同步整流
低传导损耗
高 cdv/dt 抗扰性