Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 55 A, DirectFET, 表面安装, 7引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 215-2578P
- 制造商零件编号:
- IRF6668TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 215-2578P
- 制造商零件编号:
- IRF6668TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 55A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | DirectFET | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 15mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 89W | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 31nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 55A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 DirectFET | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 15mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 89W | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 31nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon ex场 功率 mosfet 采用 direct场 效应管（ mz ）封装，具有 80V 的最大漏极源电压，额定电流为 55 安培，经优化具有低接通电阻。IRF6668PbF 将最新的 hex场 ® 功率 mosfet 硅技术与先进 Advanced ® 封装技术相结合，以实现最低的导通电阻，封装尺寸仅为 so-8 和 0.7 mm 。direct场 封装与电源应用、印刷电路板装配设备和汽相、红外或对流焊接技术中使用的现有布局几何结构兼容。对于制造方法和工艺、请遵循应用说明 a-1035 。directet 封装允许双面冷却、以最大程度地提高电源系统中的热传输、将以前最佳的热阻提高 80% 。
无铅（最高 260°c 回流）
特别适用于高性能隔离转换器主开关插座
经优化可用于同步整流
低传导损耗
高 cdv/dt 抗扰性