Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 19 A, DirectFET, 表面安装, 7引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 215-2581P
- 制造商零件编号:
- IRF6785MTRPBF
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 215-2581P
- 制造商零件编号:
- IRF6785MTRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 19A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 包装类型 | DirectFET | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 100mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 57W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 36nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 19A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
包装类型 DirectFET | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 100mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 57W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 36nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon ex场 功率 mosfet 的最大漏极源电压为 200V 、采用 direct场 效应管 mz 封装、额定电流为 19 安培、经优化具有低接通电阻。此数字音频 mosfet 专门设计用于 d 类音频放大器应用。此 mosfet 利用最新的处理技术实现每个硅区域的低接通电阻。此外、栅极电荷、主体二极管反向恢复和内部栅极电阻经过优化、可提高效率、总谐波和 emi 等关键 d 类音频放大器性能因素。IRF6785MPbF 设备采用 direct东帝汶 封装技术。与传统的线粘结型封装相比、 direct东帝汶 封装技术可提供更低的寄生电感和电阻。
最新 mosfet 硅技术
关键参数针对 d 类音频放大器应用进行了优化
兼容双面冷却
无铅（最高 260°c 回流）