Infineon , 1 N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 6.6 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, HEXFET系列, IRF7311TRPBF
- RS 库存编号:
- 215-2583
- Distrelec 货号:
- 304-39-415
- 制造商零件编号:
- IRF7311TRPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 20 件）*
¥154.36
(不含税)
¥174.42
(含税)
暂时缺货
- 在 2027年2月15日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 980 | RMB7.718 | RMB154.36 |
| 1000 - 1980 | RMB7.487 | RMB149.74 |
| 2000 + | RMB7.263 | RMB145.26 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 215-2583
- Distrelec 货号:
- 304-39-415
- 制造商零件编号:
- IRF7311TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6.6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 29mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 0.72V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 18nC | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12 V | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 6.6A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 SO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 29mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 0.72V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 18nC | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
最大栅源电压 Vgs 12 V | ||
晶体管配置 双 | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 5mm | ||
高度 1.5mm | ||
宽度 4 mm | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
国际整流器的英飞凌系列第五代 hex场 效应晶体管利用先进的处理技术 Advanced on resistance for Infineon area 的导通电阻极 International Rectifier 。此优势结合了 ex场 效应晶体管闻名的快速切换速度和耐震设备设计、可提供足够的电平设备、为设计人员提供极其高效和可靠的设备、适用于各种应用。so-8 经改良通过自定义引线框、可增强热特性和多模能力、使其特别适用于各种电源应用。通过此改进、多个设备可用于显著减少板空间的应用。该封装设计用于汽相、红外线用于波焊技术。
v 代技术
超低接通电阻
表面安装
完全耐雪崩等级
双 n 沟道 mosfet