Infineon , 1 N型沟道 双 增强型 MOSFET 阵列, Vds=30 V, 21 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 215-2586P
- 制造商零件编号:
- IRF7831TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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- 215-2586P
- 制造商零件编号:
- IRF7831TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET 阵列 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 21A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.6mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 40nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±12 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 2.5W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET 阵列 | ||
最大连续漏极电流 Id 21A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SO-8 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.6mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 40nC | ||
最大栅源电压 Vgs ±12 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 2.5W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
晶体管配置 双 | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 4 mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 5mm | ||
高度 1.5mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon ex场 功率 mosfet 系列的最大漏极源电压为 30V 、采用 so-8 封装。它具有高频率负载点同步降压转换器、适用于网络和计算系统中的应用。
符合 RoHS
行业领先的质量
4.5V VGS 时低 RDS（接通）
完全雪崩电压和电流特征
超低栅极阻抗