Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 21 A, SO-8, 贴片安装, 8引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 215-2586P
- 制造商零件编号:
- IRF7831TRPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 1000 件 (以卷装提供)*
¥6,710.00
(不含税)
¥7,580.00
(含税)
有库存
- 2,520 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1000 - 1980 | RMB6.71 |
| 2000 + | RMB6.509 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 215-2586P
- 制造商零件编号:
- IRF7831TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 21 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | SO-8 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.0036. Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.35V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 21 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 SO-8 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 0.0036. Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.35V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
the Infineon ex场 功率 mosfet 系列的最大漏极源电压为 30V 、采用 so-8 封装。它具有高频率负载点同步降压转换器、适用于网络和计算系统中的应用。
符合 RoHS
行业领先的质量
4.5V VGS 时低 RDS（接通）
完全雪崩电压和电流特征
超低栅极阻抗
行业领先的质量
4.5V VGS 时低 RDS（接通）
完全雪崩电压和电流特征
超低栅极阻抗