Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 8.7 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 215-2596
- 制造商零件编号:
- IRFR120ZTRPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | RMB1.677 | RMB3,354.00 |
| 4000 - 6000 | RMB1.644 | RMB3,288.00 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 215-2596
- 制造商零件编号:
- IRFR120ZTRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 8.7 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.19. Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 8.7 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 0.19. Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
the Infineon ex场 功率 mosfet 系列采用最新的处理技术，可在每个硅面积上实现极低的接通电阻。此设计的其他特点包括 175°c 结点工作温度、快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。这些功能相结合、使此设计成为极其高效和可靠的设备、适用于各种应用。
先进的工艺技术
超低接通电阻
快速切换
重复雪崩允许高达 Tjmax
无导线
超低接通电阻
快速切换
重复雪崩允许高达 Tjmax
无导线