Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 8.7 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IRFR120ZTRPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 215-2597P
- 制造商零件编号:
- IRFR120ZTRPBF
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 215-2597P
- 制造商零件编号:
- IRFR120ZTRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8.7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 190mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 35W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 10nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 8.7A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 190mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 35W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon ex场 功率 mosfet 系列采用最新的处理技术，可在每个硅面积上实现极低的接通电阻。此设计的其他特点包括 175°c 结点工作温度、快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。这些功能相结合、使此设计成为极其高效和可靠的设备、适用于各种应用。
先进的工艺技术
超低接通电阻
快速切换
重复雪崩允许高达 Tjmax
无导线