制造商编号

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=13 A, 3针, TO-252, HEXFET系列

RS 库存编号:: 215-2600
制造商零件编号:: IRFR5410TRLPBF
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=13 A, 3针, TO-252, HEXFET系列

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 卷，共 3000 件）*

RMB14,169.00

(不含税)

RMB16,011.00

在 2027年9月24日发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位	每卷*
3000 - 12000	RMB4.723	RMB14,169.00
15000 +	RMB4.25	RMB12,750.00

* 参考价格

RS 库存编号:: 215-2600
制造商零件编号:: IRFR5410TRLPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	13A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	TO-252
	系列	HEXFET
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	205mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	-1.6V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	58nC
	最大功耗 Pd	66W
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 13A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 TO-252
	系列 HEXFET
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 205mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf -1.6V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 58nC
	最大功耗 Pd 66W
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - IRFR5410TRLPBF

国际整流器的英飞凌系列第五代 hex场效应晶体管利用先进的处理技术 Advanced on resistance for Infineon area 的导通电阻极 International Rectifier 。此优势结合了 ex场效应晶体管闻名的快速切换速度和耐震设备设计、可提供足够的电平设备、为设计人员提供极其高效和可靠的设备、适用于各种应用。d-pack 设计用于使用汽相、红外线或波焊技术进行表面安装。

先进的工艺技术

超低接通电阻

完全耐雪崩等级

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=13 A, 3针, TO-252, HEXFET系列

批量定价选项

相关链接