Infineon P沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 13 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 215-2600
- 制造商零件编号:
- IRFR5410TRLPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 卷，共 3000 件）*
¥12,921.00
(不含税)
¥14,601.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年12月14日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | RMB4.307 | RMB12,921.00 |
| 15000 + | RMB3.876 | RMB11,628.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 215-2600
- 制造商零件编号:
- IRFR5410TRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 13 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.205. Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 13 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 0.205. Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
国际整流器的英飞凌系列第五代 hex场 效应晶体管利用先进的处理技术 Advanced on resistance for Infineon area 的导通电阻极 International Rectifier 。此优势结合了 ex场 效应晶体管闻名的快速切换速度和耐震设备设计、可提供足够的电平设备、为设计人员提供极其高效和可靠的设备、适用于各种应用。d-pack 设计用于使用汽相、红外线或波焊技术进行表面安装。
先进的工艺技术
超低接通电阻
无铅
完全耐雪崩等级
超低接通电阻
无铅
完全耐雪崩等级