Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 97 A, I2PAK (TO-262), 通孔安装, 3引脚, StrongIRFET系列
- RS 库存编号:
- 215-2602
- 制造商零件编号:
- IRFSL4410ZPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 管，共 50 件）*
¥700.85
(不含税)
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(含税)
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB14.017 | RMB700.85 |
| 100 - 150 | RMB13.597 | RMB679.85 |
| 200 + | RMB13.189 | RMB659.45 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 215-2602
- 制造商零件编号:
- IRFSL4410ZPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 97 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 系列 | StrongIRFET | |
| 封装类型 | I2PAK (TO-262) | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.009. Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 97 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
系列 StrongIRFET | ||
封装类型 I2PAK (TO-262) | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 0.009. Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
the Infineon strong 的 irfet ™功率 mosfet 系列经过优化，可实现低 rds （接通）和高电流容量。该设备特别适用于需要性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合可用于各种应用、包括直流电动机、电池管理系统、变频器和直流 - 直流转换器。它具有各种应用、如高效同步整流在 smp 、不间断电源、高速电源切换、硬切换和高频电路中。
针对分销合作伙伴提供的最广泛可用性进行了优化
产品资格符合 dec 标准
工业标准通孔电源封装
高电流额定值
产品资格符合 dec 标准
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高电流额定值