Infineon N型, N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 48 A, TO-263, 表面, 表面安装, 3引脚, IRFZ44ESTRLPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 215-2605P
- 制造商零件编号:
- IRFZ44ESTRLPBF
- 制造商:
- Infineon
暂时无法供应
我们不知道此物品是否会再来货，RS 不再对该产品备货。
- RS 库存编号:
- 215-2605P
- 制造商零件编号:
- IRFZ44ESTRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型, N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 48A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面, 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 23mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大功耗 Pd | 110W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 60nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型, N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 48A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面, 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 23mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大功耗 Pd 110W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 60nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
International Rectifier 的 Infineon 系列第五代 HEXFET 采用先进加工技术，实现了硅片面积上的极低导通电阻。这一优点与 HEXFET 功率 MOSFET 以快速切换速度和坚固器件设计而闻名的特点相结合，为设计者提供了性能充足的器件，适用于多种应用场景的极高效率与可靠性的器件。D2 封装是一种表面贴装功率封装，能够容纳最大至 HEX-4 规格的芯片尺寸。它在现有表面贴装封装中提供了最高的功率承载能力和最低的导通电阻。由于内部连接电阻较低，D2 封装适用于大电流应用，在典型表面贴装应用中可耗散高达 2.0W 功率。
先进工艺技术
完全雪崩额定
快速切换