Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 42 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IRLR2905TRLPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 215-2607
- 制造商零件编号:
- IRLR2905TRLPBF
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 215-2607
- 制造商零件编号:
- IRLR2905TRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 42A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 27mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 110W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 48nC | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | EIA-481, EIA-541 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 42A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 27mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 110W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 48nC | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 EIA-481, EIA-541 | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon ex场 功率 mosfet 系列具有 55V 的最大漏极源电压、是采用 d-pak 封装类型的单个 n 沟道 hex场 功率 mosfet 。国际整流器的英飞凌系列第五代 hex场 效应晶体管利用先进的处理技术 Advanced on resistance for Infineon area 的导通电阻极 International Rectifier 。此优势结合了 ex场 效应晶体管闻名的快速切换速度和耐震设备设计、可提供足够的电平设备、为设计人员提供极其高效和可靠的设备、适用于各种应用。d-pack 设计用于使用汽相、红外线或波焊技术进行表面安装。
先进的工艺技术
超低接通电阻
无铅
完全耐雪崩等级