Taiwan Semiconductor N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 121 A, PDFN56, 表面安装, 8引脚, TSM033NB04LCR, TSM025系列
- RS 库存编号:
- 216-9654P
- 制造商零件编号:
- TSM033NB04LCR
- 制造商:
- Taiwan Semiconductor
可享批量折扣
小计 630 件 (以卷装提供)*
¥11,183.13
(不含税)
¥12,637.17
(含税)
正在逐步停售
- 最终 6,660 个，准备发货
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 630 - 1240 | RMB17.751 |
| 1250 + | RMB16.864 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 216-9654P
- 制造商零件编号:
- TSM033NB04LCR
- 制造商:
- Taiwan Semiconductor
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Taiwan Semiconductor | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 121A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | TSM025 | |
| 包装类型 | PDFN56 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 36W | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 40nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 3.81 mm | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 长度 | 6mm | |
| 标准/认证 | WEEE 2002/96/EC, RoHS 2011/65/EU, IEC 61249-2-21 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Taiwan Semiconductor | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 121A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 TSM025 | ||
包装类型 PDFN56 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 36W | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 40nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 3.81 mm | ||
高度 1.05mm | ||
长度 6mm | ||
标准/认证 WEEE 2002/96/EC, RoHS 2011/65/EU, IEC 61249-2-21 | ||
汽车标准 否 | ||
Taiwan Semiconductor n 通道功率 mosfet 晶体管表示“金属氧化物半导体场效应晶体管”。MOSFET 是由电容器控制的晶体管设备。“场效应”代表设备受电压控制。MOSFET 的作用是控制从源极到漏极端子的电流。
低 rds （接通）可有效减少 低栅极电荷、用于快速电源切换 经过 100% uis 和 rg 测试