Taiwan Semiconductor 增强型MOS管, Vds=60 V, 104 A, PDFN56, 8引脚, TSM025系列
- RS 库存编号:
- 216-9659
- 制造商零件编号:
- TSM045NB06CR
- 制造商:
- Taiwan Semiconductor
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 216-9659
- 制造商零件编号:
- TSM045NB06CR
- 制造商:
- Taiwan Semiconductor
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Taiwan Semiconductor | |
| 最大连续漏极电流 | 104 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 系列 | TSM025 | |
| 封装类型 | PDFN56 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 5 米Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 晶体管材料 | 硅 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Taiwan Semiconductor | ||
最大连续漏极电流 104 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
系列 TSM025 | ||
封装类型 PDFN56 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 5 米Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
晶体管材料 硅 | ||
Taiwan Semiconductor n 通道功率 mosfet 晶体管表示“金属氧化物半导体场效应晶体管”。MOSFET 是由电容器控制的晶体管设备。“场效应”代表设备受电压控制。MOSFET 的作用是控制从源极到漏极端子的电流。
低 rds （接通）可有效减少 低栅极电荷、用于快速电源切换 经过 100% uis 和 rg 测试