Taiwan Semiconductor N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=80 A, 8针, PDFN56, TSM025系列

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RS 库存编号:
216-9664
制造商零件编号:
TSM055N03EPQ56
制造商:
Taiwan Semiconductor
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品牌

Taiwan Semiconductor

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

80A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

TSM025

包装类型

PDFN56

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

8.5mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

11.1nC

正向电压 Vf

1V

最大功耗 Pd

74W

最高工作温度

150°C

标准/认证

IEC 61249-2-21

长度

6mm

宽度

5mm

高度

1.1mm

汽车标准

否

Taiwan Semiconductor n 通道功率 mosfet 晶体管表示“金属氧化物半导体场效应晶体管”。MOSFET 是由电容器控制的晶体管设备。“场效应”代表设备受电压控制。MOSFET 的作用是控制从源极到漏极端子的电流。

无卤素，符合 IEC 61249-2-21 标准

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