Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=700 V, 8.5 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IPAN70R600P7SXKSA1, CoolMOS系列

可享批量折扣

小计(1 包,共 20 件)*

¥64.84

(不含税)

¥73.26

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 400 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
每包*
20 - 80RMB3.242RMB64.84
100 +RMB3.203RMB64.06

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
217-2502
制造商零件编号:
IPAN70R600P7SXKSA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

8.5A

最大漏源电压 Vd

700V

包装类型

TO-220

系列

CoolMOS

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

600mΩ

通道模式

N

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-40°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

20.5nC

正向电压 Vf

0.9V

最大功耗 Pd

82W

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

高度

29.87mm

宽度

4.8 mm

长度

16.1mm

汽车标准

Infineon 700V coolmos ™ P7 超结 mosfet 系列与当今使用的超级结点技术相比,具有基本的性能提升,可满足低功率 smp 市场的需求,例如手机充电器或笔记本电脑适配器。通过将客户的反馈与 20 多年的超结 mosfet 经验相结合, 700V coolmos ™ P7 能够在效率和散热性方面最适合目标应用,易于使用的 emi 行为。

极低的 fom r ds ( on ) x e oss; 降低 q g 、 e 和 e

高性能技术

低切换损耗( e oss )

高效

极佳的热行为

允许高速切换

集成保护齐纳二极管

优化的 3V v ( gs ) th 具有非常窄的容差 ±0.5 v

精细分级产品组合