Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 24 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, CoolMOS系列
- RS 库存编号:
- 217-2505
- 制造商零件编号:
- IPB65R095C7ATMA2
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 卷，共 1000 件）*
¥20,839.00
(不含税)
¥23,548.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年4月27日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 1000 - 4000 | RMB20.839 | RMB20,839.00 |
| 5000 + | RMB20.422 | RMB20,422.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 217-2505
- 制造商零件编号:
- IPB65R095C7ATMA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 24A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | CoolMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 95mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 129W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 51nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 9.45 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10.31mm | |
| 高度 | 4.57mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 24A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 CoolMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 95mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 129W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 51nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 9.45 mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 10.31mm | ||
高度 4.57mm | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon coolmos 是一项革命性的高电压功率功率功率半导体技术、它根据超级接线（ sj ）原理设计、由 Infineon 技术开创。coolmos ™ C7 系列将领先的 sj mosfet 供应商的经验与高级创新相结合。该产品组合提供开关超级结点式高电压器件的所有优势、可提供更高的效率、更低的栅极电荷、易于实施和卓越的可靠性。
mosfet dv/dt 稳定增加
得益于同类最佳的 fomrds(on) *eoss 和 rds(on) *qg. ，效率更高
同类最佳 rds （接通） / 封装
易于使用 / 驱动
无铅电镀、无卤模制化合物
符合 STD20 andJESD22 （ j - ）工业级应用标准