Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 80 A, TO-263, 通孔安装, 3引脚, CoolMOS系列
- RS 库存编号:
- 217-2509
- 制造商零件编号:
- IPB80N04S2H4ATMA2
- 制造商:
- Infineon
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- 217-2509
- 制造商零件编号:
- IPB80N04S2H4ATMA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 80A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | CoolMOS | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 51nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 129W | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10.31mm | |
| 高度 | 4.57mm | |
| 宽度 | 9.45 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 80A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 CoolMOS | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 51nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 129W | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 10.31mm | ||
高度 4.57mm | ||
宽度 9.45 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon 40V 、 n 通道、最大 3.7 m ² 、汽车 mosfet 、 D2PAK 、 MΩ 、 最佳
N 通道 - 增强模式
符合汽车 AEC Q101 规格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
超低 Rds(on)
100% 雪崩测试
绿色产品（符合 RoHS 标准）