Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=50 A, 3针, TO-252, IPD系列
- RS 库存编号:
- 217-2519P
- 制造商零件编号:
- IPD50P04P413ATMA2
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 217-2519P
- 制造商零件编号:
- IPD50P04P413ATMA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 50A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | IPD | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 12.6mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 39nC | |
| 正向电压 Vf | -1.3V | |
| 最大功耗 Pd | 58W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 50A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 IPD | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 12.6mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 39nC | ||
正向电压 Vf -1.3V | ||
最大功耗 Pd 58W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon IPD 系列 MOSFET,40V 最大漏源电压,50A 最大连续漏电流 - IPD50P04P413ATMA2
这款 MOSFET 是一款 P 通道增强型设备,专为在严苛环境中控制高电流而设计,提供一款半导体开关,能够处理大量漏源负载,同时还能承受宽温度范围。
特性和优点：
• 40V 漏源额定值支持中等电压开关应用
• 50A 连续排放能力支持高电流负载
• 12.6mΩ Rds(on),可最大限度减少传导损耗,实现高效运行
• 最大功耗为58W,可实现持久的功率处理
• 39nC 典型栅极电荷提供可预测的开关能量需求
• 20V 栅极电压额定值,可实现稳固的栅极驱动空间
• 50A 连续排放能力支持高电流负载
• 12.6mΩ Rds(on),可最大限度减少传导损耗,实现高效运行
• 最大功耗为58W,可实现持久的功率处理
• 39nC 典型栅极电荷提供可预测的开关能量需求
• 20V 栅极电压额定值,可实现稳固的栅极驱动空间
应用
• 适用于汽车配电模块
• 适用于控制单元中的高电流负载切换
• 与热管理系统配合使用,可在高温下运行
• 可用于电池保护和电源路径控制
• 兼容电源组件上的通孔安装
• 适用于控制单元中的高电流负载切换
• 与热管理系统配合使用,可在高温下运行
• 可用于电池保护和电源路径控制
• 兼容电源组件上的通孔安装
它能在什么温度范围内稳定运行？
其工作温度范围为-55°C至175°C。
采用哪种封装类型和安装方式?
它采用TO-252封装,专为通孔安装而设计。
栅极电荷数值对开关设计有何影响?
39nC 栅极电荷指示栅极驱动能量并影响驱动器尺寸和开关损耗。
它是否适用于汽车电子系统?
它符合AEC‐Q101汽车设备标准,适用于车辆环境。
最大允许的栅极到源电压是多少?
最大 VGS 额定值为 20V。