Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 50 A, TO-252, 通孔安装, 3引脚, IPD系列
- RS 库存编号:
- 217-2519P
- 制造商零件编号:
- IPD50P04P413ATMA2
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 217-2519P
- 制造商零件编号:
- IPD50P04P413ATMA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 50A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | IPD | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 12.6mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | -1.3V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 39nC | |
| 最大功耗 Pd | 58W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 50A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 IPD | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 12.6mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf -1.3V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 39nC | ||
最大功耗 Pd 58W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon - 40V 、 p 通道、 MΩ 最大 12.6 μ a 、汽车 mosfet 、 dak 、 最佳 mos ™ - P2 。
p 通道 - 正常级别 - 增强模式
AEC 合格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色封装（符合 rohs 标准）
100% 雪崩测试