Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=9 A, 3针, TO-252, IPD系列

RS 库存编号:: 217-2522
制造商零件编号:: IPD60R360P7SAUMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=9 A, 3针, TO-252, IPD系列

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 卷，共 2500 件）*

RMB6,590.00

(不含税)

RMB7,447.50

2,500 件将从其他地点发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位	每卷*
2500 - 10000	RMB2.636	RMB6,590.00
12500 +	RMB2.583	RMB6,457.50

* 参考价格

RS 库存编号:: 217-2522
制造商零件编号:: IPD60R360P7SAUMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	9A
	最大漏源电压 Vd	600V
	系列	IPD
	包装类型	TO-252
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	360mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	0.9V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	9.4nC
	最大功耗 Pd	41W
	最低工作温度	-40°C
	最高工作温度	150°C
	宽度	6.22mm
	标准/认证	No
	高度	2.41mm
	长度	6.73mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 9A
	最大漏源电压 Vd 600V
	系列 IPD
	包装类型 TO-252
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 360mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 0.9V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 9.4nC
	最大功耗 Pd 41W
	最低工作温度 -40°C
	最高工作温度 150°C
	宽度 6.22mm
	标准/认证 No
	高度 2.41mm
	长度 6.73mm
	汽车标准否

Datasheet - IPD60R360P7SAUMA1

Infineon IPD 系列 MOSFET,600V 漏源电压,41W 最大功耗 - IPD60R360P7SAUMA1

这款 MOSFET 是一款高电压 N 通道增强装置,专为需要高漏电源电压和中等电流能力的开关和功率控制应用而设计。它可在宽温度范围内运行,并采用表面贴装封装,适用于紧凑型电源组件。

特性和优点：

• 600V 漏源额定值,支持高压切换
• 9A 连续漏极电流，支持中等负载电流
• 360mΩ Rds(on) 可在运行过程中最大限度减少传导损耗
• 9.4nC 栅极电荷,可降低开关驱动需求
• 41W 功耗,可实现强大的热负载
• 20V 栅极源限制,允许宽栅极驱动范围

应用

• 适用于高压电源转换器和反相器
• 用于电机驱动阶段的开关元件
• 适用于工业电源开关任务
• 可用于半桥和夹紧电路
• 用于紧凑型SMD设计中的离散电源组件

这款设备可承受的热量范围是多少?

其工作温度范围为 -40°C 至 150°C,可适应恶劣的热环境。

提供哪种封装类型和安装方式?

该设备采用 TO‐252 封装,配置用于表面贴装,以适应 PCB 电源布局。

正向电压对导电性能有何影响?

正向电压为 0.9V,在正向电流流动过程中影响低侧传导下降。

必须遵守哪些栅极驱动限制?

栅极源电压不得超过 20V,以防止栅极氧化应力。

它具有多少外部连接?

该组件具有三个用于栅极、漏极和源极连接的引脚。