Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 6 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD60R600P7ATMA1, IPD系列
- RS 库存编号:
- 217-2528
- 制造商零件编号:
- IPD60R600P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 217-2528
- 制造商零件编号:
- IPD60R600P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | IPD | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 600mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大功耗 Pd | 41W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 9nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 2.41mm | |
| 宽度 | 6.22 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 6A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 IPD | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 600mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大功耗 Pd 41W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 9nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 6.73mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 2.41mm | ||
宽度 6.22 mm | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon 600V coolmos ™ P7 超结（ sj ） mosfet 是 600V coolmos ™ P6 系列的后继产品。它继续在设计过程中兼顾对高效率的需求与易用性。杰出的 r onxa 和 coolmos ™ 7th 系列平台固有的低栅极电荷 (qg ) 确保了其高效率。
600V P7 可实现出色的 fom r ds （ on ） xe oss ds （ on ） xq
≥ 2kV 的 esd 坚固性（ hbm 2 类）
集成栅极电阻器 r g
坚固的体二极管
广泛的产品组合、采用通孔和表面安装封装
提供标准级和工业级部件