Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=800 V, 2 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD系列
- RS 库存编号:
- 217-2531
- 制造商零件编号:
- IPD80R2K7C3AATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 217-2531
- 制造商零件编号:
- IPD80R2K7C3AATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | IPD | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.7Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 12nC | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 42W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 2.41mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 6.22 mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 2A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 IPD | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.7Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 12nC | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 42W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 2.41mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 6.22 mm | ||
长度 6.73mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
the Infineon coolmos ™ C3A 技术旨在满足电动车（如 phev 和 ev ）领域对更高系统电压的不断增长的需求。
杰出的质量和
击穿电压更高
高峰值电流容量
符合汽车 AEC Q101 规格
绿色封装（符合 rohs 标准）