Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=800 V, Id=13 A, 3针, TO-252, IPD系列

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包装方式：
RS 库存编号:
217-2534
制造商零件编号:
IPD80R360P7ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

13A

最大漏源电压 Vd

800V

包装类型

TO-252

系列

IPD

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

360mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-40°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

12nC

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

42W

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

150°C

高度

2.41mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

the Infineon 800V coolmos ™ P7 超结 mosfet 系列可完全满足市场对性能、易用性和性价比的需求，是低功率开关电源应用的理想选择。它主要侧重于回扫应用、包括适配器和充电器、 led 驱动器、音频开关电源、辅助和工业电源。 与之前的产品以及在典型回扫应用中经过测试的竞争产品相比、此新产品系列可提供高达 0.6% 的效率增益和 2°c 至 8°c 的更低 mosfet 温度。它还可通过更低的切换损耗和更好的 dak r ds （ on ）产品实现更高的功率密度设计。总体而言、它可帮助客户节省 bom 成本并减少装配工作量。

杰出的 fom rds （接通） *; 减少了 qg 、 ciss 和 coss

杰出的 dak rds （接通）

杰出的 v （ gs ） th 3V 和最小的 v （ gs ） th 变化 ±0.5 v

集成齐纳二极管 esd 保护

完全优化的产品组合

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