Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=950 V, Id=14 A, 3针, TO-252, IPD系列
- RS 库存编号:
- 217-2536P
- 制造商零件编号:
- IPD95R450P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 217-2536P
- 制造商零件编号:
- IPD95R450P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 14A | |
| 最大漏源电压 Vd | 950V | |
| 系列 | IPD | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 450mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 900mV | |
| 最大功耗 Pd | 104W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 35nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 2.41mm | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 14A | ||
最大漏源电压 Vd 950V | ||
系列 IPD | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 450mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 900mV | ||
最大功耗 Pd 104W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 35nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 2.41mm | ||
宽度 6.22mm | ||
长度 6.73mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon IPD 系列 MOSFET,950V 漏源电压,14A 连续漏电流 - IPD95R450P7ATMA1
这款 MOSFET 是一款高压 N 通道增强装置,专为要求严苛的电气系统中的开关和电源管理功能而设计。它可在宽温度范围内工作,适用于工业和汽车领域,并采用表面贴装 TO-252 封装,实现紧凑的板级集成。
特性和优点:
• 950V漏源额定值,支持高压切换能力
• 14 A 连续漏电流,可实现持久负载处理
• 104W 功耗,可管理负载下的热应力
• 450 mΩ RDS(on),可减少运行过程中的导电损耗
• 35 nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关行为
• 20 V 最大栅极-源电压,支持强大的栅极驱动
• 14 A 连续漏电流,可实现持久负载处理
• 104W 功耗,可管理负载下的热应力
• 450 mΩ RDS(on),可减少运行过程中的导电损耗
• 35 nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关行为
• 20 V 最大栅极-源电压,支持强大的栅极驱动
应用
• 适用于高压电源转换阶段
• 适用于满足AEC‐Q101需求的汽车电源子系统
• 与开关模式电源配合使用,可处理高电压
• 可用于工业电机驱动接口
• 用于需要表面贴装外形的直流-直流转换器
• 适用于满足AEC‐Q101需求的汽车电源子系统
• 与开关模式电源配合使用,可处理高电压
• 可用于工业电机驱动接口
• 用于需要表面贴装外形的直流-直流转换器
它能在什么温度范围内稳定运行?
它的额定连续使用温度范围为-55°C至150°C。
该设备具有多少引脚用于 PCB 路由?
该组件具有三个门、排放和源电气连接。
组装需要采用哪种安装方式?
它适用于表面安装在合适的焊盘上。
本体二极管的正向电压是多少?
二极管正向电压为 0.9 V。
