Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=950 V, 14 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD95R450P7ATMA1, IPD系列

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217-2536P
制造商零件编号:
IPD95R450P7ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

14A

最大漏源电压 Vd

950V

系列

IPD

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

450mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

104W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

35nC

正向电压 Vf

0.9V

最高工作温度

150°C

宽度

6.22 mm

标准/认证

No

长度

6.73mm

高度

2.41mm

汽车标准

AEC-Q101

the Infineon 最新 950V coolmos ™ P7 系列在 950V 超级连接技术方面树立了新的标杆,结合了杰出的性能和最先进的易用性,这是由英飞凌 18 年来领先的超级连接技术创新所带来的。

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