Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 27 A, ThinPAK, 表面安装, 5引脚, IPL系列

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RS 库存编号:
217-2537
制造商零件编号:
IPL60R125P7AUMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

27A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

IPL

包装类型

ThinPAK

安装类型

表面

引脚数目

5

最大漏源电阻 Rd

125mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

111W

最低工作温度

-40°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

36nC

正向电压 Vf

0.9V

最高工作温度

150°C

宽度

8.8 mm

长度

8.8mm

高度

1.1mm

标准/认证

No

汽车标准

the Infineon 600V coolmos ™ P7 超结( sj ) mosfet 是 600V coolmos ™ P6 系列的后继产品。它继续在设计过程中兼顾对高效率的需求与易用性。杰出的 r onxa 和 coolmos ™ 7th 系列平台固有的低栅极电荷 (qg ) 确保了其高效率。

由于采用了、适用于硬切换和软切换( pfc 和 llc ) 卓越的换向坚固

显著减少切换和传导损耗

出色的 esd 稳定性 > 2kV ( hbm )、适用于所有产品

与竞争对手的产品相比、 rds (接通) / 封装产品更好

低 rds (接通) *a ( below1Ohm mm² )

完全合格符合适用于工业应用的 dec

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