Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=27 A, 5针, ThinPAK, IPL系列

RS 库存编号:: 217-2537
制造商零件编号:: IPL60R125P7AUMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=27 A, 5针, ThinPAK, IPL系列

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RS 库存编号:: 217-2537
制造商零件编号:: IPL60R125P7AUMA1
制造商:: Infineon

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	27A
	最大漏源电压 Vd	600V
	包装类型	ThinPAK
	系列	IPL
	安装类型	表面
	引脚数目	5
	最大漏源电阻 Rd	125mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	111W
	最低工作温度	-40°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	36nC
	正向电压 Vf	0.9V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	长度	8.8mm
	宽度	8.8mm
	高度	1.1mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 27A
	最大漏源电压 Vd 600V
	包装类型 ThinPAK
	系列 IPL
	安装类型表面
	引脚数目 5
	最大漏源电阻 Rd 125mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 111W
	最低工作温度 -40°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 36nC
	正向电压 Vf 0.9V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	长度 8.8mm
	宽度 8.8mm
	高度 1.1mm
	汽车标准否

Datasheet - IPL60R125P7AUMA1

Infineon IPL系列MOSFET,600V漏源电压,27A连续漏电流 - IPL60R125P7AUMA1

这款 MOSFET 是一款高压开关晶体管,专为表面贴装功率转换和控制应用而设计。它采用 N 型通道增强模式运行,适用于需要高电压处理和大量连续电流的应用场景。该设备适用于远低于冷冻至高温运行的热环境。

特性和优点：

• 600V 额定值可在紧凑型电路中实现高压开关
• 27A 连续漏电流支持持久负载驱动
• 0.125Ω RDS(接通)可最大限度减少负载下的传导损耗
• 111W 功耗，可实现高热吞吐量
• 36nC 栅极电荷平衡开关速度和驱动要求

应用

• 适用于工业系统中的高压直流-直流转换器
• 适用于需要持久电流的电机驱动前端
• 可用于电源的功率因数校正级别
• 与固态继电器和电子开关模块配合使用
• 适用于高达150°C的高温电源组件

我应该承受哪些栅极驱动因素?

该栅极需要一个能够提供典型 36nC 栅极电荷的驱动器,以达到预期开关性能,同时保持 20V 的最大栅极-源电压。

热设计应如何考虑耗散?

热布局必须适应 111W 的最大功耗,使用合适的 PCB 铜区域或热通道以及散热片,以保持接点温度在额定范围内。

它采用哪种封装和安装方式?

它采用 ThinPAK 表面贴装封装,配有五个引脚,便于实现低电感连接和紧凑板放置。

安全工作温度限制是多少?

该设备可在 -40°C 至 150°C 的宽工作温度范围内工作,适用于冷启动和高温环境。

漏极允许的电压和电流应力是多少?

漏极可暴露在最大 600V 电压和高达 27A 的连续电流下,同时确保 RDS(on) 和功耗保持在指定值范围内。