Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 27 A, ThinPAK, 表面安装, 5引脚, IPL60R125P7AUMA1, IPL系列
- RS 库存编号:
- 217-2538P
- 制造商零件编号:
- IPL60R125P7AUMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 217-2538P
- 制造商零件编号:
- IPL60R125P7AUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 27A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | ThinPAK | |
| 系列 | IPL | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 125mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 111W | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 36nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 8.8 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 8.8mm | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 27A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 ThinPAK | ||
系列 IPL | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 125mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 111W | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 36nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 8.8 mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 8.8mm | ||
高度 1.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon 600V coolmos ™ P7 超结（ sj ） mosfet 是 600V coolmos ™ P6 系列的后继产品。它继续在设计过程中兼顾对高效率的需求与易用性。杰出的 r onxa 和 coolmos ™ 7th 系列平台固有的低栅极电荷 (qg ) 确保了其高效率。
由于采用了、适用于硬切换和软切换（ pfc 和 llc ） 卓越的换向坚固
显著减少切换和传导损耗
出色的 esd 稳定性 > 2kV （ hbm ）、适用于所有产品
与竞争对手的产品相比、 rds （接通） / 封装产品更好
低 rds （接通） *a （ below1Ohm mm² ）
完全合格符合适用于工业应用的 dec