Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 3 A, ThinPAK 5x6, 表面安装, 5引脚, IPL60R1K5C6SATMA1
- RS 库存编号:
- 217-2541
- 制造商零件编号:
- IPL60R1K5C6SATMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 217-2541
- 制造商零件编号:
- IPL60R1K5C6SATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | ThinPAK 5x6 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.5Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 36nC | |
| 最大功耗 Pd | 111W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 8.8mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 8.8 mm | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 3A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 ThinPAK 5x6 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.5Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 36nC | ||
最大功耗 Pd 111W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 8.8mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 8.8 mm | ||
高度 1.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon new coolmos ™ thinpak 5x6 是无引线 smd 封装，专门设计用于高电压的高电压功率的半导体。此新封装尺寸非常小、为 5x6mm 2 、且为非常薄的外形、高度仅为 1mm 。这种显著减小的封装尺寸结合其基准低寄生电感、可用作新的有效方法、以降低功率密度驱动设计中的系统解决方案尺寸。thinpak 5x6 封装的特点是具有非常低的源电感 1.6 nh 、以及与 dpak 类似的热性能。因此、该封装可实现更快、更高效的功率半导体开关、且在开关行为和 emi 方面更易于处理。
小尺寸（ 5x6mm² μ m ）
薄型（ 1mm ）
低寄生电感
符合 RoHS
无卤模制化合物