Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=9 A, 3针, SOT-223, IPN系列

可享批量折扣
查看批量定价选项

小计(1 卷,共 3000 件)*

RMB7,677.00

(不含税)

RMB8,676.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 在 2026年11月23日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。

单位
每单位
每卷*
3000 - 12000RMB2.559RMB7,677.00
15000 +RMB2.508RMB7,524.00

* 参考价格

RS 库存编号:
217-2542
制造商零件编号:
IPN60R360P7SATMA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

9A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

IPN

包装类型

SOT-223

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

360mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-40°C

正向电压 Vf

0.9V

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

111W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

36nC

最高工作温度

150°C

宽度

8.8mm

标准/认证

No

长度

8.8mm

高度

1.1mm

汽车标准

否

Infineon IPN系列MOSFET,600V最大漏源电压,111W最大功耗 - IPN60R360P7SATMA1


这款 MOSFET 是一款高电压 N 通道开关,专为表面安装电源应用而设计,提供增强模式操作,可在电子电路中实现受控传导。它设计用于通过三个引脚在扩展的环境范围和接口中运行,采用紧凑型SOT-223封装,适用于板级组装。

特性和优点:


• 600V 漏电容差可在高压系统中运行
• 9A 连续漏电流支持中等功率负载
• 360 mΩ Rds(on),可在额定条件下最大限度减少传导损耗
• 111W 功耗可实现持久的热处理
• 36 nC 典型栅极电荷,有助于实现可预测的开关行为

应用


• 适用于高压电源开关设计
• 适用于直流-直流转换器输出级
• 与需要表面贴装组件的电源配合使用
• 可用于控制电路中的电机驱动开关
• 适用于工业设备的线路级电源管理

操作过程中必须遵守哪些栅极电压限制?


栅极与电源相比不得超过 20 V 峰值,以避免过度压力。

该设备在使用过程中可承受的热量范围是多少?


它专为在 -40°C 至 150°C 温度范围内运行,适用于低温启动和高温运行条件。

它为 PCB 安装提供多少电气连接?


它提供三个电气引脚,并以 SOT-223 表面贴装形式提供。

在正向二极管路径中导电时,典型的正向下降是多少?


在数据表测试条件下,正向电压指定为 0.9 V。

相关链接