Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=700 V, 10 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, IPN70R450P7SATMA1, IPN系列
- RS 库存编号:
- 217-2548
- 制造商零件编号:
- IPN70R450P7SATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 217-2548
- 制造商零件编号:
- IPN70R450P7SATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 10A | |
| 最大漏源电压 Vd | 700V | |
| 系列 | IPN | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 450mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 13.1nC | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最大功耗 Pd | 6.2W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.8mm | |
| 宽度 | 3.7 mm | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 10A | ||
最大漏源电压 Vd 700V | ||
系列 IPN | ||
包装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 450mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13.1nC | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最大功耗 Pd 6.2W | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.8mm | ||
宽度 3.7 mm | ||
长度 6.7mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon coolmos ™ P7 超结（ sj ） mosfet 设计可提供出色的性能和易用性，从而改善外形和价格竞争力，从而应对低功率开关电源市场的典型挑战。这款采用了此种方法的、具有成本效益的一对一嵌入式 dak 替代产品、还可在某些设计中减少印迹。它可放置在典型的 dak 印迹上、并显示可比较的热性能。这种组合使采用了第 223-223 封装的 coolmos ™ P7 特别适用于其目标应用。
由于极低的 fomr ds(on) *qg 和，极低的损失 rds （接通） * eoss
极佳的热行为
集成 esd 保护二极管
低切换损耗（ eoss ）
产品验证符合dec 标准