Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=12 A, 3针, TO-220, CoolMOS 7系列

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RS 库存编号:
217-2560
制造商零件编号:
IPP60R210CFD7XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

12A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-220

系列

CoolMOS 7

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

210mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

64W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

23nC

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

0.9V

最高工作温度

150°C

高度

29.95mm

长度

10.36mm

标准/认证

No

宽度

4.57mm

汽车标准

否

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