Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 22.4 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, CoolMOS CFDA系列
- RS 库存编号:
- 217-2562
- 制造商零件编号:
- IPP65R150CFDAAKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB18.419 | RMB920.95 |
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| 200 + | RMB17.51 | RMB875.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 217-2562
- 制造商零件编号:
- IPP65R150CFDAAKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 22.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | CoolMOS CFDA | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 150mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 195.3W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 15nC | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 5.21 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 41.42mm | |
| 长度 | 16.13mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 22.4A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 CoolMOS CFDA | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 150mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 195.3W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15nC | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 5.21 mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 41.42mm | ||
长度 16.13mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
the Infineon 650V coolmos ™ cfda 超级连接（ sj ） mosfet 是 the 英飞凌公司第二代市场领先的汽车高压 coolmos ™功率 mosfet 。除了汽车行业所需的高质量和可靠性的闻名属性外， 650V coolmos ™ cfda 系列还提供集成式快速主体二极管。
首款 650V 汽车认证技术、带集成快速主体二极管 在市场上
硬换向期间有限电压过冲–自限制 di/dt 和 dv/dt
低栅极电荷值 q g
车身二极管和上的重复换向时 q rr 低 低 q oss
减少接通和延时时间
符合 aec Q101 标准