Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=800 V, 6 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, CoolMOS P7系列
- RS 库存编号:
- 217-2571
- 制造商零件编号:
- IPP80R900P7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 217-2571
- 制造商零件编号:
- IPP80R900P7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 系列 | CoolMOS P7 | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 900mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最大功耗 Pd | 45W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 15nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 29.95mm | |
| 宽度 | 4.57 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 6A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
系列 CoolMOS P7 | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 900mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最大功耗 Pd 45W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 29.95mm | ||
宽度 4.57 mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 10.36mm | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon 800V coolmos ™ P7 超结 mosfet 系列可完全满足市场对性能、易用性和性价比的需求，是低功率开关电源应用的理想选择。它主要侧重于回扫应用、包括适配器和充电器、 led 驱动器、音频开关电源、辅助和工业电源。 与之前的产品以及在典型回扫应用中经过测试的竞争产品相比、此新产品系列可提供高达 0.6% 的效率增益和 2°c 至 8°c 的更低 mosfet 温度。它还可通过更低的切换损耗和更好的 dak r ds （ on ）产品实现更高的功率密度设计。总体而言、它可帮助客户节省 bom 成本并减少装配工作量。
杰出的 fom r ds （ on ） *; 减少 qg 、 c iss 和 c oss
杰出的 dak r ds （ on ） of 280mΩ
杰出的 v （ gs ） th 3V 和最小的 v （ gs ） th ± 0.5 v
集成齐纳二极管 esd 保护、高达 2 类（ hbm ）
杰出的质量和
完全优化的产品组合