Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 40 A, PQFN, 表面安装, 8引脚, IPZ40N04S58R4ATMA1, IPZ系列

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包装方式:
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217-2589
制造商零件编号:
IPZ40N04S58R4ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

40A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

IPZ

包装类型

PQFN

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

8.4mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

34W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

13.7nC

正向电压 Vf

1.1V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Infineon 40V 、 n 通道、 MΩ 最大 8.4 m ² 、汽车 mosfet 、 S3O8 、 最佳 mos ™ -5 。

用于汽车应用的功率 mosfet

n 通道 - 增强模式 - 正常级别

符合 aec Q101 标准

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色产品(符合 RoHS 标准)

100% 雪崩测试