Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=50 A, 4针, TO-247, CoolMOS C7系列

Infineon 600V coolmos ™ C7 超结（ sj ） mosfet 系列的关闭损耗（ e oss ）比 coolmos ™ cp 减少 ∼50% ，在 pfc 、 ttf 和其他硬切换拓扑结构中提供卓越的性能水平。IPL60R185C7 还是高功率密度充电器设计的完美匹配。效率和 tco （总拥有成本）应用，如超数据中心和高效电信整流器 (96%)>，得益于 coolmos ™ C7 提供的更高效率。可以在 PFC 拓扑中实现 0.3% 至 0.7% 的增益，在 LLC 中实现 0.1% 的增益。例如，对于 2.5kw 服务器 psu ，在 to-247 4pin 封装中使用 600V coolmos ™ C7 sj 型功率半导体器件可以降低 ∼10% 的能量成本，从而降低 psu 能量损耗。

减少切换损耗参数、如 q g 、 c oss 、 e oss