Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 210 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 217-2598P
- 制造商零件编号:
- IRF3805STRLPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 200 件 (以卷装提供)*
¥6,597.20
(不含税)
¥7,454.80
(含税)
有库存
- 2,260 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 200 - 395 | RMB32.986 |
| 400 + | RMB31.996 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 217-2598P
- 制造商零件编号:
- IRF3805STRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 210A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 190nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 300W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 宽度 | 6.22 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 210A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 190nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 300W | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 6.5mm | ||
高度 2.3mm | ||
宽度 6.22 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon ex场 功率 mosfet 利用最新的处理技术，在每个硅片区域实现极低的接通电阻。此设计的其他功能包括 175°C 结点工作温度、快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。这些功能相结合、使此设计成为极其高效和可靠的设备、适用于各种应用。
先进的工艺技术
超低接通电阻
175°C 工作温度
快速切换
重复雪崩允许高达 Tjmax
无导线