Infineon , 2 N型沟道 双 N 沟道 Mosfet 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 5.1 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 217-2601
- 制造商零件编号:
- IRF7341GTRPBF
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IRF7341GTRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5.1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 65mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 2.4W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 29nC | |
| 晶体管配置 | 双 N 沟道 Mosfet | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 5.1A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
包装类型 SO-8 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 65mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 2.4W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 29nC | ||
晶体管配置 双 N 沟道 Mosfet | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 1.5mm | ||
宽度 4 mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 5mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon ex场 功率 mosfet 采用双 so-8 封装，利用最新工艺技术，可在每个硅片区域实现极低的接通电阻。这些 hex场 功率 mosfet 的其他特点包括 175°c 结点工作温度、快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。这些优势相结合、使此设计成为极其高效和可靠的设备、适用于各种其他应用。so-8 封装的额定温度为 175°c 、可提供更高的热性能和更安全的工作区域、双 mosfet 模具能力使其特别适用于各种电源应用。此双路表面安装 so-8 可显著减少板空间、还提供带装和卷装。
先进的工艺技术
双 N 沟道 MOSFET
超低接通电阻
175°C 工作温度
重复雪崩允许高达 Tjmax
无铅