Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 14 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, HEXFET系列
- RS Stock No.:
- 217-2605P
- Mfr. Part No.:
- IRF7458TRPBF
- Brand:
- Infineon
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- Infineon
Specifications
Technical Reference
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Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 14A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 39nC | |
| 最大功耗 Pd | 2.5W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 1.75mm | |
| 宽度 | 3.9 mm | |
| 长度 | 4.9mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 14A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 SO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 39nC | ||
最大功耗 Pd 2.5W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 1.75mm | ||
宽度 3.9 mm | ||
长度 4.9mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 30V 单 n 通道 hex场 功率 mosfet 采用 so-8 封装。
超低栅极阻抗
极低 rds （接通）
完全雪崩电压和电流特征