Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 82 A, PQFN, 表面安装, 8引脚, IRFH8325TRPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 217-2613
- 制造商零件编号:
- IRFH8325TRPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 50 件）*
¥97.60
(不含税)
¥110.30
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 2,950 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 950 | RMB1.952 | RMB97.60 |
| 1000 - 1950 | RMB1.893 | RMB94.65 |
| 2000 + | RMB1.855 | RMB92.75 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 217-2613
- 制造商零件编号:
- IRFH8325TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 82A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7.2mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 32nC | |
| 最大功耗 Pd | 3.6W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 6.02mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 4.98 mm | |
| 高度 | 1.17mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 82A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 PQFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 7.2mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 32nC | ||
最大功耗 Pd 3.6W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 6.02mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 4.98 mm | ||
高度 1.17mm | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon 30V 单 n 通道 hex场 功率 mosfet 采用 5mm x 6mm pfinn 封装。
针对分销合作伙伴提供的最广泛可用性进行了优化
产品资格符合 dec 标准
逻辑电平：针对 5 v 栅极驱动电压进行了优化
工业标准表面安装电源封装