Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 5 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 217-2617P
- 制造商零件编号:
- IRFR220NTRLPBF
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 217-2617P
- 制造商零件编号:
- IRFR220NTRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 600mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 43W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 15nC | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 10.41mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 2.39 mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| Distrelec Product Id | 304-39-419 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 5A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 600mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 43W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15nC | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 10.41mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 2.39 mm | ||
长度 6.73mm | ||
Distrelec Product Id 304-39-419 | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 200V 单 n 通道 hex场 功率 mosfet 采用 d-pak 封装。
宽 soa 的平面单元结构
针对分销合作伙伴提供的最广泛可用性进行了优化
产品资格符合 dec 标准
硅经优化用于切换低于 <100kHz 的应用
工业标准表面安装电源封装
能够进行波焊