Infineon N沟道MOS管, Vds=40 V, 119 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 217-2623
- 制造商零件编号:
- IRFR4104TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 217-2623
- 制造商零件编号:
- IRFR4104TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 119 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 5.5 个月 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 119 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 5.5 个月 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
the Infineon ex场 功率 mosfet 利用最新的处理技术，在每个硅片区域实现极低的接通电阻。此设计的其他特点包括 175°c 结点工作温度、快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。这些功能相结合、使此设计成为极其高效和可靠的设备、适用于各种应用。
先进的工艺技术
超低接通电阻 1.
75°c 工作温度
快速切换 r
重复雪崩允许高达 tjmax l
无电子广告
超低接通电阻 1.
75°c 工作温度
快速切换 r
重复雪崩允许高达 tjmax l
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