Infineon N沟道MOSFET, Vds=75 V, Id=170 A, 3针, TO-263, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 217-2632P
- 制造商零件编号:
- IRFS3207ZTRRPBF
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 217-2632P
- 制造商零件编号:
- IRFS3207ZTRRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 170A | |
| 最大漏源电压 Vd | 75V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.1mΩ | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 300W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 170nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 4.83mm | |
| 高度 | 9.65mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 170A | ||
最大漏源电压 Vd 75V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.1mΩ | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 300W | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 170nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 4.83mm | ||
高度 9.65mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 10.67mm | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon 75V 单 n 通道 hex场 功率 mosfet 采用 D2 pak 封装。
改进的浇口、雪崩和动态 dv/dt 坚固性
完全定性电容和雪崩 soa
增强的主体二极管 dv/dt 和 di/dt 能力
无铅
符合 rohs 标准、无卤